2N5639_D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
Diodes et transistors
PMBFJ310 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 250 MW
2N5461_D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
PMBFJ109 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 250 MW
BF246A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
PMBFJ112 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
BFR31 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N5460_D74Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
J175 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 400 MW
BSR58 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 250 MW
2N5460 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
PMBF4392 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
PMBFJ620 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Puissance maximale
- 190 MW
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
PMBFJ111 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
BFT46 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
PMBFJ308 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 250 MW
2N4858 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Puissance maximale
- 300 MW
- Type de montage
- Montage traversant
PMBFJ110 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 250 MW