NSVJ3557SA3T1G · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5459 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NPuissance maximale625 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.J110_D26Z · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MMBF4391LT1 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiBoîtierBande coupée (CT) Demander un devis
MMBF4093 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5460_D75Z · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal PPuissance maximale350 MW Demander un devis
KSK596PAWD · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2SK23800QL · Diodes et transistorsFabricantPanasonic Electronic ComponentsType de FETCanal NTempérature de fonctionnement125°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5461 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal PPuissance maximale350 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SMMBFJ177LT1G · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal PTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5459_D75Z · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NPuissance maximale625 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PMBFJ174 · Diodes et transistorsFabricantNXP USA Inc.Type de FETCanal PPuissance maximale300 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PN4392 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.J113 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5458_D26Z · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NPuissance maximale625 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PMBFJ108 · Diodes et transistorsFabricantNXP USA Inc.Type de FETCanal NPuissance maximale250 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2SK2145-BL(TE85L · Diodes et transistorsFabricantToshiba Semiconductor And StoragePuissance maximale300 MWTempérature de fonctionnement125°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PMBFJ176 · Diodes et transistorsFabricantNXP USA Inc.Type de FETCanal PPuissance maximale300 MW Demander un devis