PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
2SK2145-BL(TE85L
2SK2145-BL(TE85L · Diodes et transistors
Informations produit
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Référence:
- 2SK2145-BL(TE85L
- Puissance maximale:
- 300 MW
- Température de fonctionnement:
- 125°C (TJ)
Demander un devis
Le prix, la disponibilité et la livraison sont confirmés dans le devis.
Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Référence de base | 2SK2145 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Puissance maximale | 300 MW |
| Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | SMV |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 4
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 6 MA @ 10 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 200 MV @ 100 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 10V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
Demander un devis
Composants sélectionnés
Tous les produits
PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
