PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
PMV100EPAR
PMV100EPAR · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- PMV100EPAR
- Référence:
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss):
- 60V
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | PMV100EPAR |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 2.2A |
| Puissance dissipée (Pd) | 8.3W |
| Capacité d’entrée (Ciss) | 616pF |
| Capacité de transfert inverse (Crss) | 26pF |
| Température de fonctionnement | -55℃ – +175℃ |
| Type | Canal P |
Aucun paramètre correspondant
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Champs d’origine · anglais · 3
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17nC@10V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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A N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package.
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PESD2CANFD36VT-QR · Diodes et transistors
- Référence
- PESD2CANFD36VT-QR
- Tension d’écrêtage
- 45V