2N4858A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Puissance maximale
- 300 MW
- Type de montage
- Montage traversant
Diodes et transistors
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- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
BFR31 · Diodes et transistors
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- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
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- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 200°C (TJ)
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- Type de FET
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- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 200°C (TJ)
J112 · Diodes et transistors
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- NXP USA Inc.
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- Puissance maximale
- 400 MW
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- 500 MW
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- 500 MW
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- NXP USA Inc.
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- 250 MW
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- 500 MW
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- -65°C ~ 200°C (TJ)
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- Fabricant
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- 360 MW
2N5115UB/TR · Diodes et transistors
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- 360 MW
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- 400 MW
MX2N4860 · Diodes et transistors
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2N4857A · Diodes et transistors
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- 300 MW
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- Montage traversant