2N4091 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
Diodes et transistors
2N4091UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MV2N4093 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N4092 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N4092UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MQ2N4392 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Type de montage
- Montage traversant
2N5114 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
MMBF5457 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
MV2N5115 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
MQ2N4393 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Type de montage
- Montage traversant
NTE489 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 360 MW
MQ2N5116UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
CMPF4416A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
JANTX2N4093UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MQ2N5116UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
NTE467 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 310 MW
2SK2145-GR(TE85L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Puissance maximale
- 300 MW
- Température de fonctionnement
- 125°C (TJ)
2N2608 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 300 MW