PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
NTE489
NTE489 · Diodes et transistors
Informations produit
- Fabricant:
- NTE Electronics, Inc
- Référence:
- NTE489
- Type de FET:
- Canal P
- Puissance maximale:
- 360 MW
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Fabricant | NTE Electronics, Inc |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de FET | Canal P |
| Puissance maximale | 360 MW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 135°C (TJ) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-92 |
| Boîtier | Sachet |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 4
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 500 MV @ 1 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 32pF @ 15V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
