Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5115UB · Diodes et transistorsFabricantMicrochip TechnologyType de FETCanal PPuissance maximale500 MW Demander un devis
CMPF4392 · Diodes et transistorsFabricantCentral Semiconductor CorpType de FETCanal NPuissance maximale350 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MX2N4857 · Diodes et transistorsFabricantMicrochip TechnologyType de FETCanal NPuissance maximale360 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2SK880GRTE85LF · Diodes et transistorsFabricantToshiba Semiconductor And StorageType de FETCanal NPuissance maximale100 MW Demander un devis
MMBFJ108 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
2SK208-Y(TE85L · Diodes et transistorsFabricantToshiba Semiconductor And StorageType de FETCanal NTempérature de fonctionnement125°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.J175-D26Z · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal PTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N4092UB · Diodes et transistorsFabricantMicrochip TechnologyType de FETCanal NPuissance maximale360 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.JFE150DCKT · Diodes et transistorsFabricantTexas InstrumentsType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-40°C ~ 125°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.JFE150DCKR · Diodes et transistorsFabricantTexas InstrumentsType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-40°C ~ 125°C (TA) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5115E3 · Diodes et transistorsFabricantMicrochip TechnologyType de FETCanal PPuissance maximale500 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N4393 · Diodes et transistorsFabricantCentral Semiconductor CorpType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-65°C ~ 175°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N4858A · Diodes et transistorsFabricantCentral Semiconductor CorpType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-65°C ~ 200°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.2N5460 · Diodes et transistorsFabricantCentral Semiconductor CorpType de FETCanal PPuissance maximale310 MW Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.J109 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.J111 · Diodes et transistorsFabricantOnsemiType de FETCanal NTempérature de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ) Demander un devis
JANTX2N4092UB · Diodes et transistorsFabricantMicrosemi CorporationType de FETCanal NPuissance maximale360 MW Demander un devis
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