2N5638_D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
Diodes et transistors
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- 625 MW
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- Microchip Technology
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
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- 625 MW
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- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
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- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
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- 350 MW
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- 625 MW
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- NTE Electronics, Inc
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- 625 MW
J105 · Diodes et transistors
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- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
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- 625 MW
2N5461_D74Z · Diodes et transistors
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- 360 MW
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- 350 MW
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- 350 MW
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