PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
PMBFJ620
PMBFJ620 · Diodes et transistors
Informations produit
- Fabricant:
- NXP USA Inc.
- Référence:
- PMBFJ620
- Puissance maximale:
- 190 MW
- Température de fonctionnement:
- 150°C (TJ)
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Référence de base | PMBFJ6 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Puissance maximale | 190 MW |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | 6-TSSOP |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 7
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 24 MA @ 10 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 2 V @ 1 µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 25 V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
