2N4858A · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Potenza massima
- 300 MW
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
Diodi e transistor
MV2N4861UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
BFR31 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
MQ2N2608 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N2609 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 200°C (TJ)
J112 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 400 MW
MQ2N5114UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MQ2N5114UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
PMBFJ309 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW
2N5116UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MX2N4858 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 200°C (TJ)
BFR30 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
MX2N4859 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N5115UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
2N4093UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
J111 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 400 MW
MX2N4860 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N4857A · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Potenza massima
- 300 MW
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante