NSVJ3557SA3T1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodi e transistor
2N5459 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
J110_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4391LT1 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro tagliato (CT)
MMBF4093 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5460_D75Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
KSK596PAWD · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2SK23800QL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)
2N5461 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
SMMBFJ177LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5459_D75Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
PMBFJ174 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 300 MW
PN4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J113 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5458_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
PMBFJ108 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW
2SK2145-BL(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Potenza massima
- 300 MW
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)
PMBFJ176 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 300 MW