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KSK596PCWD · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NTemperatura operativa150°C (TJ) Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.2N5639G · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NPotenza massima310 MW Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.MX2N4856 · Diodi e transistorProduttoreMicrochip TechnologyTipo di FETCanale NPotenza massima360 MW Richiedi un preventivo
KSK596PBWD · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NTemperatura operativa150°C (TJ) Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.2N5639_D75Z · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NPotenza massima350 MW Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.2N5461RLRAG · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale PPotenza massima350 MW Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.2N5115 · Diodi e transistorProduttoreMicrochip TechnologyTipo di FETCanale PPotenza massima500 MW Richiedi un preventivo