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MMBF4393 · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NPotenza massima350 MW Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.2N5638RLRA · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NPotenza massima310 MW Richiedi un preventivo
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Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.MMBF5484LT1G · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NPotenza massima225 MW Richiedi un preventivo
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Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.MV2N4092 · Diodi e transistorProduttoreMicrochip TechnologyTipo di FETCanale NPotenza massima360 MW Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.J112RLRA · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NTemperatura operativa-65°C ~ 150°C (TJ) Richiedi un preventivo
MMBF5460LT1G · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale PPotenza massima225 MW Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.J107 · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NTemperatura operativa-55°C ~ 150°C (TJ) Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.MX2N4861 · Diodi e transistorProduttoreMicrochip TechnologyTipo di FETCanale NPotenza massima360 MW Richiedi un preventivo
Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.J111RLRPG · Diodi e transistorProduttoreOnsemiTipo di FETCanale NTemperatura operativa-65°C ~ 150°C (TJ) Richiedi un preventivo