J113 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 400 MW
Diodi e transistor
MPF4392G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
2N5462 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
MMBF4391 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BSR56 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW
TF256TH-5-TL-H · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
MPF4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J112RL1 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
BFR30 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
TF252TH-4-TL-H · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N5116 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
J111RL1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
J112G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
PN4091_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J110RLRAG · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 135°C (TJ)
2N4391 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
- Contenitore del produttore
- –-18
BSR58LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
P1086_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)