PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
BFR30
BFR30 · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Produttore:
- NXP USA Inc.
- Codice componente:
- BFR30
- Tipo di FET:
- Canale N
- Temperatura operativa:
- 150°C (TJ)
Richiedi un preventivo
Prezzo, disponibilità e consegna sono confermati nel preventivo.
Richiedi un preventivoSpecifiche tecniche
Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti Transistor Transistor JFET |
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Codice prodotto base | BFR30 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di FET | Canale N |
| Temperatura operativa | 150°C (TJ) |
| Potenza massima | 250 MW |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Contenitore del produttore | SOT-23 (–-236AB) |
| Contenitore / involucro | Nastro e bobina (TR) |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 5
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 4 MA @ 10 V |
|---|---|
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 5 V @ 0.5 NA |
| Current Drain (Id) - Max | 10 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 25 V |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
Richiedi un preventivo
Componenti selezionati
Tutti i prodotti
PMV48XPAR · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMV48XPAR
- Tensione drain-source (Vdss)
- 20V
PMV100EPAR · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMV100EPAR
- Tensione drain-source (Vdss)
- 60V
24AA02/SN · Diodi e transistor
- Codice componente
- 24AA02/SN
- Frequenza di clock (fc)
- 400kHz