PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
PMV100EPAR
PMV100EPAR · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- PMV100EPAR
- Codice componente:
- PMV100EPAR
- Tensione drain-source (Vdss):
- 60V
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Stesso modello · parametri coerenti
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Codice componente | PMV100EPAR |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Corrente di drain continua (Id) | 2.2A |
| Potenza dissipata (Pd) | 8.3W |
| Capacità di ingresso (Ciss) | 616pF |
| Capacità di trasferimento inverso (Crss) | 26pF |
| Temperatura operativa | -55℃ – +175℃ |
| Tipo | Canale P |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 3
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17nC@10V |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
Visualizza originale inglese
A N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package.
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