2N5639_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
Diodi e transistor
PMBFJ310 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW
2N5461_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
PMBFJ109 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW
BF246A · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
PMBFJ112 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
BFR31 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N5460_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
J175 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 400 MW
BSR58 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW
2N5460 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
PMBF4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
PMBFJ620 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Potenza massima
- 190 MW
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
PMBFJ111 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
BFT46 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
PMBFJ308 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW
2N4858 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Potenza massima
- 300 MW
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
PMBFJ110 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 250 MW