2N4091 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
Diodi e transistor
2N4091UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MV2N4093 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N4092 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N4092UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MQ2N4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
2N5114 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MMBF5457 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
MV2N5115 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MQ2N4393 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
NTE489 · Diodi e transistor
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 360 MW
MQ2N5116UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
CMPF4416A · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
JANTX2N4093UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microsemi Corporation
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MQ2N5116UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
NTE467 · Diodi e transistor
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 310 MW
2SK2145-GR(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Potenza massima
- 300 MW
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)
2N2608 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 300 MW