2N5115UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
Diodi e transistor
CMPF4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
MX2N4857 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2SK880GRTE85LF · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 100 MW
MMBFJ108 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK208-Y(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)
J175-D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4092UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
JFE150DCKT · Diodi e transistor
- Produttore
- Texas Instruments
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -40°C ~ 125°C (TJ)
JFE150DCKR · Diodi e transistor
- Produttore
- Texas Instruments
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -40°C ~ 125°C (TA)
2N5115E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
2N4393 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 175°C (TJ)
2N4858A · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 200°C (TJ)
2N5460 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 310 MW
J109 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J111 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
JANTX2N4092UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microsemi Corporation
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2SK2145-Y(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Potenza massima
- 300 MW
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)