2SK06630RL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
Diodi e transistor
PN4303 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
2SK209-BL(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)
MX2N5115UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
2SJ01630RL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N4860UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
FJX597JHTF · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
MMBF4392LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 225 MW
2N5458G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 135°C (TJ)
KSK30YBU · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 100 MW
MMBFJ270 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 225 MW
MX2N5115UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
2SK33720TL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -20°C ~ 80°C (TA)
TF412ST5G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
KSK596ABU · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N4857UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MMBFU310LT1 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro tagliato (CT)
MQ2N4093UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW