2SK33720UL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -20°C ~ 80°C (TA)
Diodi e transistor
MX2N4093 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MMBFJ113 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4861UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
PN4391 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 175°C (TJ)
MX2N5116 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MV2N5115UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MMBFJ175LT1 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro tagliato (CT)
2N3823UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MMBFJ177LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N4091UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MMBF4393LT1 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro tagliato (CT)
2N5116UA · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MV2N4091UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N4393 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Potenza massima
- 300 MW
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
2N4857 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MX2N4091UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW