MQ2N4091UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
Diodi e transistor
MCH3914-8-TL-H · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N4858UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2SK508-T2B-A · Diodi e transistor
- Produttore
- Renesas Electronics America Inc
- Contenitore / involucro
- Sfuso
MQ2N4092UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2SK2394-6-TB-E · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
MQ2N4861UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N4856UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N4860UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MMBF4393LT3G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 225 MW
MQ2N4860UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MQ2N4092UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MQ2N4391UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Tipo di montaggio
- Montaggio superficiale
JFE2140DR · Diodi e transistor
- Produttore
- Texas Instruments
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Montaggio superficiale
MMBFJ175LT3G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4093UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MX2N4861UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MQ2N4860UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW