J111-D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodi e transistor
MQ2N5114 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
MV2N4861 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MMBFJ176 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4858 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
MV2N4857 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N2609 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N5116 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
CMPF4391 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
MQ2N4861 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
NTE452 · Diodi e transistor
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 175°C (TJ)
2N4391UBC · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Tipo di montaggio
- Montaggio superficiale
NSVJ2394SA3T1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
NTE459 · Diodi e transistor
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 175°C (TJ)
2SK508-T1B-A · Diodi e transistor
- Produttore
- Renesas Electronics America Inc
- Contenitore / involucro
- Sfuso
2N4221A · Diodi e transistor
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
NTE466 · Diodi e transistor
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
J112-D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)