NSVJ5908DSG5T1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 300 MW
Diodi e transistor
2SK3320-BL(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 200 MW
CPH3910-TL-E · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
MMBFJ175LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SMMBF4393LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 225 MW
MMBFU310LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J113-D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4393LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 225 MW
BSR58 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
CMPF4393 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
MMBFJ112 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BSV79 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
2N2608 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 300 MW
2N6660JAN02 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Contenitore / involucro
- Sfuso
2N5116UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
SST5486-T1-E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
SST5484-T1-E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
SST4416-E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW