2SK514-T-A · Diodi e transistor
- Produttore
- Renesas Electronics America Inc
- Contenitore / involucro
- Sfuso
Diodi e transistor
MCH3914-7-TL-H · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N3823 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MCH5908H-TL-E · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 300 MW
MMBFJ111 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4391LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 225 MW
SMMBFJ175LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBFJ201 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
2SK880-BL(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 100 MW
NSVJ6904DSB6T1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Potenza massima
- 700 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK209-GR(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)
MMBF5103 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J112-D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK879-GR(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 100 MW
2SK208-R(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 125°C (TJ)
2SK880-Y(TE85L · Diodi e transistor
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 100 MW
MMBFJ202 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW