SST204-E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
Diodi e transistor
J112RLRAG · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
DSK9J01P0L · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
TF256TH-4-TL-H · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
P1087_J18Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BF247A_J35Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J110 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 135°C (TJ)
MPF4393 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J112RL1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
J111RLRAG · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
J110G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 135°C (TJ)
BFR30LT1G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5638RLRAG · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 310 MW
2N5461RLRA · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
JFTJ105 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J106 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J270 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
J108_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)