FJN598JCBU · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
Diodi e transistor
CMPFJ175 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
MMBF5484LT1 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro tagliato (CT)
FJN598JCTA · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
MQ2N4858UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
J109-D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBFJ110 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N3820 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
MQ2N4857UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2SK11030QL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N4859 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
J176-D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4859UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
2N4857 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Potenza massima
- 300 MW
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
2N5460G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
MQ2N4392UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Tipo di montaggio
- Montaggio superficiale
J112-D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
JFE150DBVR · Diodi e transistor
- Produttore
- Texas Instruments
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)