PN4861 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodi e transistor
2N4856 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Potenza massima
- 300 MW
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
J177_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4856 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
J111_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
- Contenitore del produttore
- –-18
J174_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J111_D75Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N2608UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 300 MW
MV2N4858 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
TIS74 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4861UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
FJZ594JCTF · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2N5114UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
J201_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
MV2N5114UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
FJX597JBTF · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
J201 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW