2SK33720UL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -20°C ~ 80°C (TA)
Diodes et transistors
MX2N4093 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MMBFJ113 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4861UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
PN4391 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4392 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 175°C (TJ)
MX2N5116 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
MV2N5115UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
2N3823UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MMBFJ177LT1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N4091UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N5116UA · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
MV2N4091UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N4393 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Puissance maximale
- 300 MW
- Type de montage
- Montage traversant
2N4857 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MX2N4091UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW