FJN598JCBU · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
Diodes et transistors
CMPFJ175 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
FJN598JCTA · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
MQ2N4858UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
J109-D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBFJ110 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N3820 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
MQ2N4857UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2SK11030QL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N4859 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
J176-D74Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4859UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N4857 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Puissance maximale
- 300 MW
- Type de montage
- Montage traversant
2N5460G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
MQ2N4392UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Type de montage
- Montage en surface
J112-D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
JFE150DBVR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)