2SK06630RL · Diodes et transistors
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- Panasonic Electronic Components
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- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
Diodes et transistors
PN4303 · Diodes et transistors
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- Onsemi
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- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
2SK209-BL(TE85L · Diodes et transistors
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- Toshiba Semiconductor And Storage
- Type de FET
- Canal N
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- 125°C (TJ)
MX2N5115UB/TR · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 500 MW
2SJ01630RL · Diodes et transistors
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- 150°C (TJ)
2N4860UB/TR · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 360 MW
FJX597JHTF · Diodes et transistors
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- 150°C (TJ)
MMBF4392LT1G · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 225 MW
2N5458G · Diodes et transistors
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- 135°C (TJ)
KSK30YBU · Diodes et transistors
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- 100 MW
MMBFJ270 · Diodes et transistors
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- 225 MW
MX2N5115UB · Diodes et transistors
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- 500 MW
2SK33720TL · Diodes et transistors
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- Panasonic Electronic Components
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TF412ST5G · Diodes et transistors
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- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
KSK596ABU · Diodes et transistors
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- Canal N
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- 150°C (TJ)
2N4857UB · Diodes et transistors
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- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MQ2N4093UB/TR · Diodes et transistors
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- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW