MQ2N4860 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
Diodes et transistors
NTE2910 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 200°C (TJ)
KSK30OBU · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 100 MW
MV2N5114UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
PN4117 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
NTE133 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN4302 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
MV2N4093UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
KSK596CBU · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
NTE2937 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MX2N4092UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
U1897 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
FJN598JABU · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2SK34260TL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -20°C ~ 80°C (TA)
PN4091 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK932-23-TB-E · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N4858UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW