MX2N4092 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
Diodes et transistors
TIS75 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5457G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 135°C (TJ)
J108_D27Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MX2N4861UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
PF53012 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK33720SL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -20°C ~ 80°C (TA)
PN5434 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N5114 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
PN4118 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
J177 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4092 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
PF5103 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
J177_D75Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4860A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
2N5116UA/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW