KSK596BU · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
Diodes et transistors
PN5434_D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4859UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
J176_D26Z · Diodes et transistors
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- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
FJN598JBBU · Diodes et transistors
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- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
PN4393_D27Z · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4858UB · Diodes et transistors
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- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
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- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK275100L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
MQ2N4857UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
J177_D74Z · Diodes et transistors
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- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK06620RL · Diodes et transistors
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- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
PN4303_D26Z · Diodes et transistors
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- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
MQ2N4393UB · Diodes et transistors
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- Microchip Technology
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- Canal N
- Type de montage
- Montage en surface
J174_D75Z · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
J175 · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN4092_J18Z · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)