J202 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
Diodes et transistors
2SK3666-4-TB-E · Diodes et transistors
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- Canal N
- Puissance maximale
- 200 MW
2SK0663GRL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
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- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
MV2N5116UB · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 500 MW
PN4119 · Diodes et transistors
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- 350 MW
TIS75_D26Z · Diodes et transistors
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- Canal N
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- 350 MW
2SK715W · Diodes et transistors
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- 125°C (TJ)
MV2N4093UB · Diodes et transistors
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- 360 MW
PF5102 · Diodes et transistors
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- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
PN5432_D27Z · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4091 · Diodes et transistors
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- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MX2N4093UB · Diodes et transistors
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- Microchip Technology
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- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
PN4093 · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
TF202THC-3-TL-H · Diodes et transistors
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- 100 MW
2N2608UB · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 300 MW
PN4393_D26Z · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
PMBFJ175 · Diodes et transistors
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- NXP USA Inc.
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- 300 MW
J113_D27Z · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)