2N4118A-E3 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
Diodes et transistors
2N4860 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
J175_D74Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF5462 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 225 MW
2N4117A-2 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
JFE150DBVT · Diodes et transistors
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J174 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PMBFJ113 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
MMBFJ305 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 225 MW
MQ2N2608UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 300 MW
MMBFJ203 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
MMBFJ177 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4119 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 225 MW
2N4858U · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
J202_D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
TF208TH-5-TL-H · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2SK3372GTL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -20°C ~ 80°C (TA)
MV2N5116UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW