CP206-2N4393-CT20 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 1.8 W
Diodes et transistors
U1898_D27Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK596S-A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
TIS74_J35Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
2SK01980RL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N4416A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
PN4393_D75Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5461G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
2N4119A-E3 · Diodes et transistors
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- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
PN4392_D75Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4118A-2 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
J108 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 400 MW
PN4391_D27Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4117A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
2SJ03640QL · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2SK2394-7-TB-E · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
PN4117A_J61Z · Diodes et transistors
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- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
MMBF5461 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 225 MW