PN4861 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodes et transistors
2N4856 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Puissance maximale
- 300 MW
- Type de montage
- Montage traversant
J177_D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4856 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
J111_D27Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4392 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Type de montage
- Montage traversant
- Boîtier indiqué par le fabricant
- –-18
J174_D27Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J111_D75Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N2608UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 300 MW
MV2N4858 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
TIS74 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4861UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
FJZ594JCTF · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N5114UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
J201_D74Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW
MV2N5114UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
FJX597JBTF · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
J201 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 625 MW