PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Fabricant | Panasonic Electronic Components |
| Référence de base | 2SK0662 |
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de FET | Canal N |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Puissance maximale | 150 MW |
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 500 µA @ 10 V |
|---|---|
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 100 MV @ 10 µA |
| Supplier Device Package | SMini3-G1 |
| Current Drain (Id) - Max | 20 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 10V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 30 V |
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.