PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
MX2N5116
MX2N5116 · Diodes et transistors
Informations produit
- Fabricant:
- Microchip Technology
- Référence:
- MX2N5116
- Type de FET:
- Canal P
- Puissance maximale:
- 500 MW
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Série | Militaire, MIL-PRF-19500 |
| Fabricant | Microchip Technology |
| Référence de base | 2N5116 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de FET | Canal P |
| Puissance maximale | 500 MW |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-18 |
| Boîtier | Vrac |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 6
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 4 V @ 1 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
| Resistance - RDS(On) | 175 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
