MQ2N4091UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
Diodes et transistors
MCH3914-8-TL-H · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N4858UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2SK508-T2B-A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
MQ2N4092UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2SK2394-6-TB-E · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
MQ2N4861UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N4856UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N4860UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MMBF4393LT3G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 225 MW
MQ2N4860UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MQ2N4092UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MQ2N4391UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Type de montage
- Montage en surface
JFE2140DR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Texas Instruments
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Montage en surface
MMBFJ175LT3G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4093UB · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MX2N4861UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MQ2N4860UB/TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW