BSR57 · Diodes et transistors
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- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
Diodes et transistors
MX2N5115 · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 500 MW
MQ2N4861UB · Diodes et transistors
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- 360 MW
2SK1069-5-TL-E · Diodes et transistors
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- Canal N
- Puissance maximale
- 150 MW
2N3823UB · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 200°C (TJ)
MV2N4861UB/TR · Diodes et transistors
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- 360 MW
MQ2N4093 · Diodes et transistors
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- 360 MW
2SK932-24-TB-E · Diodes et transistors
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- 150°C (TJ)
MX2N4091 · Diodes et transistors
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2N4859 · Diodes et transistors
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- 360 MW
2SK209-Y(TE85L · Diodes et transistors
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- 125°C (TJ)
2N4861 · Diodes et transistors
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- 360 MW
MV2N4860 · Diodes et transistors
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- 360 MW
2SK879-Y(TE85L · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 100 MW
MQ2N4091 · Diodes et transistors
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- 360 MW
J111-D26Z · Diodes et transistors
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- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N4856 · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 360 MW
2N4860 · Diodes et transistors
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- 360 MW