J111-D74Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodes et transistors
MQ2N5114 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
MV2N4861 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MMBFJ176 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4858 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
MV2N4857 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
2N2609 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N5116 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
CMPF4391 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
MQ2N4861 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
NTE452 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 175°C (TJ)
2N4391UBC · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Type de montage
- Montage en surface
NSVJ2394SA3T1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
NTE459 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 175°C (TJ)
2SK508-T1B-A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
2N4221A · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
NTE466 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
J112-D27Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)