2SK514-T-A · Diodes et transistors
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- Renesas Electronics America Inc
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Diodes et transistors
MCH3914-7-TL-H · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N3823 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MCH5908H-TL-E · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 300 MW
MMBFJ111 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4391LT1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 225 MW
SMMBFJ175LT1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBFJ201 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
2SK880-BL(TE85L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 100 MW
NSVJ6904DSB6T1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Puissance maximale
- 700 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK209-GR(TE85L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 125°C (TJ)
MMBF5103 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
J112-D74Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK879-GR(TE85L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 100 MW
2SK208-R(TE85L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 125°C (TJ)
2SK880-Y(TE85L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 100 MW
MMBFJ202 · Diodes et transistors
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- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW