2N4858A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Potencia máxima
- 300 MW
- Tipo de montaje
- Montaje pasante
Diodos y transistores
MV2N4861UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
BFR31 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
MQ2N2608 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N2609 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 200°C (TJ)
J112 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 400 MW
MQ2N5114UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MQ2N5114UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
PMBFJ309 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 250 MW
2N5116UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MX2N4858 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 200°C (TJ)
BFR30 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
MX2N4859 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N5115UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
2N4093UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
J111 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 400 MW
MX2N4860 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4857A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Potencia máxima
- 300 MW
- Tipo de montaje
- Montaje pasante