2N5639_D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
Diodos y transistores
PMBFJ310 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 250 MW
2N5461_D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
PMBFJ109 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 250 MW
BF246A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
PMBFJ112 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
BFR31 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
2N5460_D74Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
J175 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 400 MW
BSR58 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 250 MW
2N5460 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
PMBF4392 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
PMBFJ620 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Potencia máxima
- 190 MW
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
PMBFJ111 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
BFT46 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
PMBFJ308 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 250 MW
2N4858 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Potencia máxima
- 300 MW
- Tipo de montaje
- Montaje pasante
PMBFJ110 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 250 MW