2N4091 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
Diodos y transistores
2N4091UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MV2N4093 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4092 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4092UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MQ2N4392 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Tipo de montaje
- Montaje pasante
2N5114 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MMBF5457 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
MV2N5115 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MQ2N4393 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Tipo de montaje
- Montaje pasante
NTE489 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 360 MW
MQ2N5116UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
CMPF4416A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 150°C (TJ)
JANTX2N4093UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MQ2N5116UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
NTE467 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 310 MW
2SK2145-GR(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Potencia máxima
- 300 MW
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
2N2608 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 300 MW