2N5115UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
Diodos y transistores
CMPF4392 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
MX2N4857 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2SK880GRTE85LF · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 100 MW
MMBFJ108 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK208-Y(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
J175-D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4092UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
JFE150DCKT · Diodos y transistores
- Fabricante
- Texas Instruments
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -40°C ~ 125°C (TJ)
JFE150DCKR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Texas Instruments
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -40°C ~ 125°C (TA)
2N5115E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
2N4393 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 175°C (TJ)
2N4858A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 200°C (TJ)
2N5460 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 310 MW
J109 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J111 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
JANTX2N4092UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2SK2145-Y(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Potencia máxima
- 300 MW
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)