NSVJ3557SA3T1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodos y transistores
2N5459 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
J110_D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4391LT1 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta cortada (CT)
MMBF4093 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5460_D75Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
KSK596PAWD · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
2SK23800QL · Diodos y transistores
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
2N5461 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
SMMBFJ177LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5459_D75Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
PMBFJ174 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 300 MW
PN4392 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J113 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5458_D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
PMBFJ108 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 250 MW
2SK2145-BL(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Potencia máxima
- 300 MW
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
PMBFJ176 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 300 MW